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📢| トランスフォームが2021年12月に急速充電器/電源アダプター向けGaNデバイスを100万個以上出荷

※この記事は日本語専用記事となります。

高電力マルチキロワット製品における当社の大容量製造能力と継続的リーダーシップを実証

米カリフォルニア州ゴリータ–(BUSINESS WIRE)–(ビジネスワイヤ) — 高信頼性・高性能の窒化ガリウム(GaN)電力変換製品のパイオニア企業で世界的サプライヤーのトランスフォーム(OTCQX:TGAN)は本日、2021年12月に100万個以上のSuperGaN® Gen IV FETを出荷したと発表しました。この節目となる成果は、当社が以前に述べていた能力、すなわち適格パッケージデバイスでの大容量に対応する能力と、拡大する当社の市場シェアを裏付けるものです。また出荷台数において、2021年後半は2021年前半に比べて3倍以上の伸びを記録しています。特にトランスフォームのエコシステムの継続的拡大を浮き彫りにしている点として、出荷済みFETはアジア太平洋地域における新旧の顧客が45W~300Wの電源アダプターおよび急速充電器のアプリケーションを製造するために使用されています。

トランスフォームの小型電力変換アプリケーション向けSuperGaN製品ファミリーには現在、3種類の650Vデバイスとして480mΩ FET、300mΩ FET、150mΩ FETがあります。これらのデバイスは標準のPQFN 5×6/8×8パッケージで用意しており、150°CでJEDEC適格性基準を満たします。

その他のGaN半導体(すなわち、eモードGaNおよびIC GaN)と比較した場合のSuperGaNデバイスの主な優位性は次の通りです。

  • より小型のダイサイズでの優れた性能:データによれば、SuperGaNプラットフォームは低いオン抵抗のデバイスよりも高い効率を達成する。
  • 容易な設計性と駆動性:SuperGaNプラットフォームの特許取得済みアーキテクチャーはユニバーサルインターフェースを備えた統合型シリコンFETを備えており、過剰な周辺回路を必要としない。このインターフェースにより、ドライバーが統合された一般的な既製のコントローラーの使用が実現する。これはQRF(疑似共振フライバック)やACF(アクティブクランプフライバック)などの高効率電源アダプタートポロジーにおける要件となる。
  • クラス最高の品質と信頼性:300億時間以上の稼働に基づけば、トランスフォームの稼働デバイスのFIT(時間当たり故障回数)は0.3回未満で、統計的に10億時間以上の稼働での故障が0.3回未満となる。

トランスフォームの社長で共同創設者のPrimit Parikhは、次のように述べています。「私たちは、供給業者やお客さまと提携して、目指していた月間100万ユニットという量産目標を達成できたことを大変うれしく思います。これは、急成長している急速充電器および電源アダプターの分野における市場シェアの拡大に加え、高性能・高信頼性のGaNデバイスを大規模に生産する当社の能力を実証しています。低電力およびマルチキロワット高電力の両アプリケーションにおけるトランスフォームの牽引力は、当社技術のリーダーシップを明確に示しています。これは、直前の四半期に4500万ドル超の資金調達を行ったことと相まって、2022年に継続的に拡大・成長していくための力強く前向きな勢いの支えとなっています。」

トランスフォームの完全な製品ポートフォリオには現在、さまざまなパッケージの650Vと900Vのデバイスがあります。このポートフォリオの技術的優位性は、主に当社の垂直統合がけん引力となっています。GaN半導体業界では珍しいこの事業モデルにより、トランスフォームはデバイスの設計、エピタキシャルウエハー(出発材料)、製造プロセスを管理することができます。その結果、トランスフォームは現在、最も幅広い電力アプリケーション(電源アダプター、データセンター/ゲーム用PSU、仮想通貨マイニングリグ、自動車用コンバーター、再生可能エネルギー用インバーター、その他)を対象に、最も広範囲の電力変換要件(45Wから10+kW)に対応しています。

トランスフォームについて

GaN革命の世界的リーダー企業であるトランスフォームは、高電圧電力変換アプリケーション向けに高性能・高信頼性のGaN半導体を設計・製造しています。1000件超の自社特許およびライセンス特許から成る最大級のパワーGaN IPポートフォリオを持つトランスフォームは、業界初のJEDEC/AEC-Q101準拠高電圧GaN 半導体デバイスを生産しています。当社の垂直統合型デバイスのビジネスモデルにより、あらゆる開発段階、すなわち設計、組み立て、デバイス、アプリケーションサポートの段階で、革新が可能になっています。トランスフォームの革新により、パワーエレクトロニクスはシリコンの限界を乗り越え、99%以上の効率を達成し、電力密度を40%以上改善して、システムコストを20%低減しています。トランスフォームはカリフォルニア州ゴリータに本社を構え、製造施設をゴリータと日本の会津に有しています。詳細情報については、www.transphormusa.comをご覧ください。ツイッター(@transphormusa)とウィーチャット(Transphorm_GaN)で当社をフォローしてください。

将来見通しに関する記述

このプレスリリースには、当社の市場での地位、今後予想される成長に関する期待、ナスダックへの上場計画に関する将来見通しに関する記述(1934年米国証券取引所法の第21E条(改正を含む)および1933年米国証券法の第27A条(改正を含む)の意味)が含まれています。将来見通しに関する記述は一般に、本質的に予測的であり、将来の出来事や条件に依存または言及する記述を含んでおり、「かもしれない」、「するつもりである」、「はずである」、「であろう」、「予測する」、「計画する」、「信じる」、「意図する」、「期待する」などの語句や、その他の類似表現を含みます。歴史的事実でない記述は将来見通しに関する記述です。将来見通しに関する記述は、リスクや不確実性の影響を受ける現在の見解や仮定に基づいており、今後の業績を保証するものではありません。実際の結果は、さまざまな要因の結果として、将来見通しに関する記述に含まれる内容と大きく異なる場合があります。これらの要因には、追加の資金需要や資本へのアクセス、競合、トランスフォームがその知的財産権を保護する能力、競争、米国証券取引委員会へ当社が提出した書類に記載されたその他のリスクなど、トランスフォームの事業に関連するリスクなどがあります。適用法で要求される場合を除き、当社は新しい情報、将来の出来事、その他の結果にかかわらず、いかなる将来見通しに関する記述についても修正ないし更新したり、その他の何らかの将来見通しに関する記述を行なったりする義務を負いません。

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